废气处理设备主要是运用不同工艺技术,通过回收或去除减少排放尾气的有害成分,达到保护环境、净化废气的一种环保设备,废气处理设备的处理技术主要有吸收技术、吸附技术、催化燃烧技术和生物净化技术等,下面跟600全讯cc白菜小编一起来了解一下~
废气处理设备-吸收技术
吸收法采用低挥发或不挥发性溶剂对VOCs进行吸收,再利用废气处理塔VOCs和吸收剂物理性质的差异进行分离。
含VOCs的气体自吸收塔底部进入塔内,在上升过程中与来自塔顶的吸收剂逆流接触,净化后的气体由塔顶排出。吸收了VOCs的吸收剂通过热交换器后,进入汽提塔顶部,在温度高于吸收温度或压力低于吸收压力的前提下解吸。解吸后的吸收剂经由溶剂冷凝器冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs气体经由冷凝器、气液分离器后以较纯的VOCs气体离开汽提塔,被回收利用。该工艺适合于VOCs浓度较高、温度较低的气体净化,其他情况下需要作相应的工艺调整。
废气处理设备-吸附技术
在用多孔性固体物质处理流体混合物时,流体中的某一组分或某些组分可被吸表面并浓集其上,此现象称为吸附。吸附处理废气时,吸附的对象是气态污染物,气固吸附。被吸附的气体组分称为吸附质,多孔固体物质称为吸附剂。
固体表面吸附了吸附质后,一部被吸附的吸附质可从吸附剂表面脱离,此现附。而当吸附进行一段时间后,因为表面吸附质的浓集,使其吸附能力显著下降而吸附净化的要求,此时需要采用一定的措施使吸附剂上已吸附的吸附质脱附,以协的吸附能力,这个过程称为吸附剂的再生。因此在实际吸附工程中,恰是利用吸附一再生一再吸附的轮回过程,达到除去废气中污染物质并回收废气中有用组分。
废气处理设备-催化燃烧技术
燃烧法用于处理高浓度Voc与有恶臭的化合物很有效,其原理是用过量的空气使这些杂质燃烧,大多数天生二氧化碳和水蒸气,可以排放到大气中。但当处理含氯和含硫的有机化合物时,燃烧天生产物中HCl或SO2,需要对燃烧后气体进一步处理。
废气处理设备-生物净化技术
光催化是常温深度反应技术。光催化氧化可在室温下将水、空气和泥土中有机污染物完全氧化成无毒无害的产物,而传统的高温焚烧技术则需要在极高的温度下才可将污染物摧毁,即使用常规的催化、氧化方法亦需要几百度的高温。
从理论上讲,只要半导体吸收的光能不小于其带隙能,就足以激发产生电子和空穴,该半导体就有可能用作光催化剂。常见的单一化合物光催化剂多为金属氧化物或硫化物,如Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。这些催化剂各自对特定反应有凸起长处,详细研究中可根据需要选用,如CdS半导体带隙能较小,跟太阳光谱中的近紫外光段有较好的匹配机能,可以很好地利用天然光能,但它轻易发生光侵蚀,使用寿命有限。相对而言,Ti02的综合机能较好,是最广泛使用和研究的单一化合物光催化剂。
废气处理设备主要是运用不同工艺技术,通过回收或去除减少排放尾气的有害成分,达到保护环境、净化废气的一种环保设备,废气处理设备的处理技术主要有吸收技术、吸附技术、催化燃烧技术和生物净化技术等,下面跟600全讯cc白菜小编一起来了解一下~
废气处理设备-吸收技术
吸收法采用低挥发或不挥发性溶剂对VOCs进行吸收,再利用废气处理塔VOCs和吸收剂物理性质的差异进行分离。
含VOCs的气体自吸收塔底部进入塔内,在上升过程中与来自塔顶的吸收剂逆流接触,净化后的气体由塔顶排出。吸收了VOCs的吸收剂通过热交换器后,进入汽提塔顶部,在温度高于吸收温度或压力低于吸收压力的前提下解吸。解吸后的吸收剂经由溶剂冷凝器冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs气体经由冷凝器、气液分离器后以较纯的VOCs气体离开汽提塔,被回收利用。该工艺适合于VOCs浓度较高、温度较低的气体净化,其他情况下需要作相应的工艺调整。
废气处理设备-吸附技术
在用多孔性固体物质处理流体混合物时,流体中的某一组分或某些组分可被吸表面并浓集其上,此现象称为吸附。吸附处理废气时,吸附的对象是气态污染物,气固吸附。被吸附的气体组分称为吸附质,多孔固体物质称为吸附剂。
固体表面吸附了吸附质后,一部被吸附的吸附质可从吸附剂表面脱离,此现附。而当吸附进行一段时间后,因为表面吸附质的浓集,使其吸附能力显著下降而吸附净化的要求,此时需要采用一定的措施使吸附剂上已吸附的吸附质脱附,以协的吸附能力,这个过程称为吸附剂的再生。因此在实际吸附工程中,恰是利用吸附一再生一再吸附的轮回过程,达到除去废气中污染物质并回收废气中有用组分。
废气处理设备-催化燃烧技术
燃烧法用于处理高浓度Voc与有恶臭的化合物很有效,其原理是用过量的空气使这些杂质燃烧,大多数天生二氧化碳和水蒸气,可以排放到大气中。但当处理含氯和含硫的有机化合物时,燃烧天生产物中HCl或SO2,需要对燃烧后气体进一步处理。
废气处理设备-生物净化技术
光催化是常温深度反应技术。光催化氧化可在室温下将水、空气和泥土中有机污染物完全氧化成无毒无害的产物,而传统的高温焚烧技术则需要在极高的温度下才可将污染物摧毁,即使用常规的催化、氧化方法亦需要几百度的高温。
从理论上讲,只要半导体吸收的光能不小于其带隙能,就足以激发产生电子和空穴,该半导体就有可能用作光催化剂。常见的单一化合物光催化剂多为金属氧化物或硫化物,如Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。这些催化剂各自对特定反应有凸起长处,详细研究中可根据需要选用,如CdS半导体带隙能较小,跟太阳光谱中的近紫外光段有较好的匹配机能,可以很好地利用天然光能,但它轻易发生光侵蚀,使用寿命有限。相对而言,Ti02的综合机能较好,是最广泛使用和研究的单一化合物光催化剂。